檢索結果:共4筆資料 檢索策略: "GaN".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="石墨烯"
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氮化鎵於矽基板上成長時,因晶格不匹配與熱膨脹係數差異引入應力,造成高密度差排缺陷,降低氮化鎵HEMT元件工作效能。本研究提出以石墨烯做為磊晶界面層,提升氮化鎵磊晶品質之方法。石墨烯是二維材料,垂直膜…
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本篇論文呈現了氮化鋁緩衝層結構之於石墨烯/藍寶石基板上製備高品質氮化鎵薄膜的重要性。本文使用低壓化學氣相沉積法(LPCVD)在在藍寶石基板上成長石墨烯。首先會在兩吋藍寶石基板上蒸鍍一層銅膜以便於獲取…
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這項研究研究了通過嵌入複合氮化鋁緩衝層(AlN BL),可以在少層石墨烯(FLG)/藍寶石基板上生長高質量GaN薄膜。複合氮化鋁緩衝層分別通過濺鍍和金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)生長的低溫AlN…